摩根士丹利9月22日對內存產業(yè)發(fā)布積極展望。摩根士丹利指出，全球范圍內正出現(xiàn)內存半導體短缺現(xiàn)象，基于這樣的判斷摩根士丹利將三星電子列為最受青睞的股票，目標股價定為每股9.6萬韓元，較此前（8.6萬韓元）上調12%。

從數(shù)據上來看，2025年下半年以來整體呈現(xiàn)上漲趨勢。9月底，由于供應緊張，三星對其DRAM和NAND閃存產品進行了大幅提價，部分產品提價幅度高至30%。此外，最近有消息指出三星電子第五代高帶寬內存（HBM）產品HBM3E 12層堆疊已通過英偉達質量測試。此消息一出，三星電子的股價應聲創(chuàng)下全年新高。

2025年5月，三星電子啟動了一份危機預案，當時三星電子與韓國的商業(yè)銀行簽署了價值72.7億美元的信貸額度協(xié)議。此后的下半年，三星電子在存儲器市場、半導體制程、移動處理器、下一代旗艦手機以及折疊屏手機等領域均有所動作。

01

存儲芯片，曙光初現(xiàn)

2025年Q1，SK海力士首次超越三星電子，以36%的市占率成為全球DRAM營收的領導者；2025年Q2，SK海力士營收21.8萬億韓元的存儲銷售額，首次超越三星電子（21.2萬億韓元），成為全球最大存儲制造商。

憑借在HBM產品上的技術領先，SK海力士實現(xiàn)了業(yè)務的迅速擴張；而三星電子一直面臨著產品無法通過英偉達認證的瓶頸。本次三星12層HBM3E通過英偉達認證并準備發(fā)貨，對于三星電子存儲業(yè)務是一個重大的突破。

除了產品打入英偉達供應鏈，三星電子還宣布已完成HBM4內部開發(fā)，計劃用于英偉達2026年發(fā)布的"Rubin"AI加速器。這表明三星正在全力追趕SK海力士，爭奪AI芯片關鍵內存市場。

據集邦科技9月24日發(fā)布數(shù)據，8月DRAM通用產品（DDR4 8GB）平均現(xiàn)貨價格為5.87美元，創(chuàng)下年內最高紀錄，而在2025年年初現(xiàn)貨價格曾低至1美元出頭。存儲芯片價格上漲的大環(huán)境讓產業(yè)提高了對三星的業(yè)績期待。韓國產業(yè)預計，三星電子與SK海力士第三季度有望實現(xiàn)“驚喜業(yè)績”。FnGuide預測，三星電子第三季度營業(yè)利潤預計為9.6687萬億韓元，SK海力士營業(yè)利潤預計為10.7175萬億韓元。

這一預測也表明，產業(yè)界依舊認為在存儲領域SK海力士有望繼續(xù)在第三季度在利潤上保持領先。三星若想重回領先地位，需要在HBM產品上實現(xiàn)穩(wěn)定供貨。

02

芯片制造，未來可期

9月，美國得克薩斯州政府宣布從半導體創(chuàng)新基金中劃撥 2.5 億美元支持三星電子在該州泰勒市建設的先進制程邏輯晶圓廠。本次投資后，三星獲得的州政府援助總額達到5.2億美元。

三星位于泰勒市的晶圓代工廠于2021年開工建設，計劃于2026年投產。該工廠將生產用于5G、人工智能和高性能計算等下一代技術的先進2納米半導體。

在代工客戶方面，三星在2nm和7nm也都有新訂單。

在2nm代工業(yè)務上，三星與特斯拉達成了一項價值165億美元的代工協(xié)議，將在泰勒工廠生產其AI6芯片。特斯拉創(chuàng)始人埃隆·馬斯克9月7日在社交媒體上發(fā)文稱，“和特斯拉AI5芯片設計團進行了一場精彩的設計評審，這將會是一款史詩級的芯片，而即將推出的AI6有望成為迄今為止最好的Al芯片?！碧厮估腁I5芯片由臺積電負責，如果三星能夠順利完成AI6芯片的代工任務，這將是三星代工在先進制程領域與臺積電持久的競爭中的一個重要里程碑。

在7nm代工業(yè)務上，三星近期拿下IBM Power11處理器訂單。Power11采用了三星增強型7納米EUV光刻工藝（7LPP EUV），并結合2.5D ISC先進封裝技術，相較前代工藝在性能上提升23%，功耗降低45%。

不過摩根士丹利的一份報告指出，三星電子贏下的特斯拉訂單對臺積電收入的影響僅為1%，三星在代工市場要走的路還很漫長。

除了先進工藝上的努力，三星也在近期公開了碳化硅芯片的規(guī)劃。

三星復合半導體解決方案團隊業(yè)務主管兼執(zhí)行副總裁 Steven Hong 在釜山的一次會議上表示，三星的目標是“盡快”實現(xiàn)碳化硅芯片的商業(yè)化。三星于2023年底成立了CSS部門，專注于開發(fā)8英寸碳化硅器件，超越目前6英寸晶圓的行業(yè)標準，但對于碳化硅產品的商業(yè)化三星電子沒有提供具體的時間表。

對于三星的碳化硅布局，分析師認為三星電子在技術準備方面仍落后于競爭對手。他們還指出，三星似乎正在優(yōu)先考慮其8英寸氮化鎵代工廠，但該工廠可能要到2026年之后才能投入商業(yè)使用。因此三星在第三代和第四代半導體上的商業(yè)化路徑依舊模糊。

擺在三星電子晶圓制造業(yè)務面前有一個嚴肅的問題：同時押注傳統(tǒng)硅基芯片和第三代半導體的策略，是否會導致資源分散風險？

03

消費電子，依舊迷茫

2024年三星電子全年總營收為300.9萬億韓元，消費電子領域，移動業(yè)務銷售額114.4萬億韓元，同比增長5%；視覺顯示業(yè)務銷售額為29.2萬億韓元，同比下降6%。從收入構成上看，消費電子依舊是三星收入重要的收入來源（占比約為47.7%）。

理想狀態(tài)下，三星電子可以實現(xiàn)：將自家的工廠生產所需芯片應用在自家的產品中的完整閉環(huán)，在這樣的體系中三星電子的消費產品具備極大的成本優(yōu)勢。那么三星的芯片在三星的產品中應用如何呢？

一個現(xiàn)實是，三星電子自研的手機芯片十年不曾進入中國大陸市場。直到2025年，三星發(fā)布搭載了三星自研3nm芯片Exynos 2500的Galaxy Z Flip 7，才將這樣的局面打破。算力、功耗、性能，種種因素，讓三星依舊無法脫離高通的驍龍體系。

三星預計將于9月底發(fā)布三折智能手機，消息面上，該設備將采用雙內折結構，并使用超薄鉸鏈，以提高耐用性。預計顯示屏完全展開時尺寸為10.2英寸，單側折疊時尺寸為7.9英寸，完全折疊時尺寸為6.4英寸。

韓國媒體預計這款機型產量將限制在5萬至10萬臺。預計該手機的售價將高于現(xiàn)有的Galaxy Z Fold和Flip機型，約為300萬韓元（約合2150美元）。不過，傳這款三折手機將大概率搭載高通驍龍 8 Gen 3 Elite 處理器。

除了三折疊手機，三星月底的Unpacked活動還有望發(fā)布XR頭顯和AI眼鏡。值得注意的是，業(yè)內預測三星的XR設備將采用高通的 Snapdragon XR2+ Gen 2 芯片組，并運行由三星、谷歌和高通共同開發(fā)的 Android XR 平臺，以及谷歌專有的 Gemini AI 模型。

綜合來看，三星電子在消費市場的核心競爭力似乎并非來自創(chuàng)新力，相較之下三星電子的競爭力更多是來自其在韓國本土長久以來建立起的品牌力與用戶基礎。面對中國廠商在質量、創(chuàng)新、價格、成本多方面的追趕，三星電子在消費市場面對重重壓力。

04

“擅變”的兩面性

對于三星電子來說，其過去廣泛的業(yè)務布局似乎成了當前的難題。

2021年12月，三星電子將消費家電和IT移動部門合并，并將三星電子CEO任命為芯片業(yè)務負責人。這次變動是三星自2017年以來最大的組織結構變動。在這之后，三星電子的高層又進行了多次重組變化。

2023年三星電子成立了人工智能中心，以積極應對人工智能時代的變革。

2024年DS（設備解決方案）部門在HBM內存和AVP先進封裝等領域進行了大規(guī)模的組織結構調整，成立了HBM產能質量提升團隊，負責HBM4的開發(fā)。

2024年11月，三星電子宣布2025年組織結構調整。存儲器業(yè)務調整為CEO直轄部門，更換了 DS 部 Foundry 業(yè)務部的負責人

從這樣的調整路徑來看，三星電子依舊將業(yè)務中心押注在最核心的存儲業(yè)務上。同時，從三星電子發(fā)展的歷史來看，三星電子一個很大的競爭力是其快速調整業(yè)務的能力。而這一點可以很大程度彌補其在技術創(chuàng)新上的落后。

舉例來講，為了加速存儲產品迭代，三星電子與中國存儲芯片公司簽署了開發(fā)堆疊400多層NAND Flash所需的“混合鍵合”（Hybrid Bonding）技術的專利許可協(xié)議，以便從其第10代（V10）NAND Flash產品（430層）開始使用該專利技術來進行制造。相對于“埋頭苦干”，這家韓國企業(yè)更傾向于快速進入生產節(jié)奏，用時間換市場。如果了解三星電子在存儲市場的歷史，會理解這樣的行事風格十分“三星”。

根據市場調研公司Counterpoint Research 9月24日發(fā)布的最新存儲器半導體數(shù)據，SK海力士在第二季度以62%的市場份額領跑HBM市場。美光科技以21%的市場份額位居第二，三星電子以17%的市場份額位居第三。

不過Counterpoint也預測，隨著三星電子的HBM產品進入英偉達供應鏈，其在HBM未來的市占率有望超過30%。

迅速學習，快速復制，“擅變”的三星電子在存儲產業(yè)的嗅覺依舊靈敏。