中微公司  視覺中國 資料圖

9月4日晚，半導體設備龍頭企業(yè)中微公司（688012.SH）公告稱，近日推出六款半導體設備新產品，這些設備覆蓋等離子體刻蝕、原子層沉積及外延等關鍵工藝，包括兩款刻蝕設備和四款薄膜沉積設備。

在刻蝕設備方面，中微公司新一代極高深寬比等離子體刻蝕“利器”—— CCP電容性高能等離子體刻蝕機Primo UD-RIE ，基于成熟的Primo HD-RIE設計架構并全面升級，配備六個單反應臺反應腔，通過更低頻率、更大功率的射頻偏壓電源，提供更高離子轟擊能量，可以滿足極高深寬比刻蝕的嚴苛要求，兼顧刻蝕精度與生產效率。

Primo Menova 12寸ICP單腔刻蝕設備專注于金屬刻蝕領域， 擅長金屬Al線、Al塊刻蝕，廣泛適用于功率半導體、存儲器件及先進邏輯芯片制造，是晶圓廠金屬化工藝的核心設備。

在薄膜沉積設備方面，中微公司此次發(fā)布的四款新品， 包括三款原子層沉積產品以及一款外延產品。其中推出的12英寸原子層沉積產品Preforma Uniflash金屬柵系列， 涵蓋 Preforma Uniflash? TiN、 Preforma Uniflash? TiAl 及 Preforma Uniflash?TaN 三大產品，能夠滿足先進邏輯與先進存儲器件在金屬柵方面的應用需求。

外延設備方面，中微公司推出的雙腔減壓外延設備PRIMIO Epita? RP，作為目前市場上獨有的雙腔設計外延減壓設備，其反應腔體積為全球最小， 且可靈活配置多至6個反應腔，在顯著降低生產成本與化學品消耗的同時， 實現了高生產效率。

中微公司表示，隨著半導體技術的迭代升級， 等離子體刻蝕、 原子層沉積及外延等技術的應用需求持續(xù)攀升。近日推出六款半導體設備新產品， 覆蓋等離子體刻蝕、原子層沉積及外延等關鍵工藝，可進一步滿足客戶需求，拓展公司產品布局，為加速向高端設備平臺化公司轉型注入新動能，對公司未來半導體設備市場拓展和業(yè)績成長性預計都將產生積極的影響。

半年報顯示，中微公司主要從事高端半導體設備及泛半導體設備的研發(fā)、生產和銷售。涉足半導體集成電路制造、先進封裝、LED外延片生產、功率器件、MEMS制造以及其他微觀工藝的高端設備領域。等離子體刻蝕設備已應用在國際一線客戶從65至5納米及其他先進的集成電路加工制造生產線及先進封裝生產線。MOCVD設備在行業(yè)領先客戶的生產線上大規(guī)模投入量產，公司已成為世界排名前列的氮化鎵基LED設備制造商。近兩年新開發(fā)的LPCVD薄膜設備和ALD薄膜設備，目前已有多款產品進入市場并獲得大批量重復性訂單。

今年上半年，中微公司總營業(yè)收入49.61億元，同比增長43.88%；實現歸母凈利潤7.06億元，同比增長36.62%。

9月4日收盤，中微公司報收195.40元，跌7.83%。