本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

2025年光刻材料收入預(yù)計(jì)增長(zhǎng)7%。

研究機(jī)構(gòu)TECHCET最新預(yù)測(cè)顯示，受半導(dǎo)體市場(chǎng)復(fù)蘇推動(dòng)，2025年光刻材料收入預(yù)計(jì)增長(zhǎng)7%，達(dá)到50.6億美元。

據(jù)悉，這一增長(zhǎng)主要由先進(jìn)光刻膠需求大幅增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)，特別是EUV光刻膠預(yù)計(jì)同比增長(zhǎng)30%。隨著芯片產(chǎn)量增長(zhǎng)，尤其是邏輯芯片和DRAM芯片領(lǐng)域先進(jìn)節(jié)點(diǎn)器件產(chǎn)量提升，輔助材料和擴(kuò)展材料也將呈現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。

TECHCET數(shù)據(jù)顯示，2024年光刻材料收入溫和增長(zhǎng)1.6%，達(dá)到47.4億美元。其中光刻膠增長(zhǎng)1%，EUV光刻膠表現(xiàn)最為突出，同比增長(zhǎng)20%。輔助材料和擴(kuò)展材料均表現(xiàn)良好，分別增長(zhǎng)2%。當(dāng)前市場(chǎng)受益于先進(jìn)節(jié)點(diǎn)工藝發(fā)展帶來(lái)的光刻膠需求穩(wěn)步增長(zhǎng)，特別是EUV光刻膠，同時(shí)KrF和ArF等傳統(tǒng)光刻膠在3D NAND中的應(yīng)用增加也促進(jìn)了市場(chǎng)積極表現(xiàn)。

根據(jù)TECHCET的《2025年光刻材料關(guān)鍵材料報(bào)告》，預(yù)計(jì)到2029年，光刻材料市場(chǎng)將以6%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)。未來(lái)市場(chǎng)發(fā)展將受到供應(yīng)鏈本地化趨勢(shì)影響，美國(guó)、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣和大陸都將建設(shè)新設(shè)施。這些設(shè)施將致力于開(kāi)發(fā)干法光刻膠沉積和納米壓印光刻等創(chuàng)新技術(shù)，以進(jìn)一步提升光刻材料的性能和降低成本。

中國(guó)的光刻材料市場(chǎng)

中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2025-2030年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)市場(chǎng)現(xiàn)狀調(diào)研及發(fā)展趨勢(shì)預(yù)測(cè)研究報(bào)告》顯示，中國(guó)半導(dǎo)體關(guān)鍵材料市場(chǎng)規(guī)模從2020年的755.8億元增長(zhǎng)至2024年的1437.8億元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)17.44%，2025年中國(guó)半導(dǎo)體關(guān)鍵材料市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到1740.8億元。

在制造材料中，硅片、光刻材料、掩模板、電子特氣占比較高。以2023年為例，硅片市場(chǎng)在晶圓制造材料市場(chǎng)中占比為33.1%，位列第1位，光刻材料、掩模板、電子特氣分別位列第2、3、4位，占比分別為15.3%，13.2%，13.2%。

其中，光刻膠是光刻工藝中最主要的、最關(guān)鍵的材料，被譽(yù)為電子化學(xué)品產(chǎn)業(yè)“皇冠上的明珠”。光刻膠在芯片制造材料成本中的占比高達(dá)12%，也是繼大硅片、電子氣體之后第三大IC制造材料。根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的報(bào)告，2024年我國(guó)光刻膠市場(chǎng)規(guī)模約為80.5億元，同比增長(zhǎng)25.39%，預(yù)計(jì)2025年我國(guó)光刻膠市場(chǎng)規(guī)模可達(dá)97.8億元。

目前半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)90%被海外廠商掌控，頭部廠商包括日本JSR、TOK、住友化學(xué)、信越化學(xué)、富士材料及美國(guó)陶氏化學(xué)等。其中，日本JSR 是全球最大、技術(shù)最領(lǐng)先的光刻膠龍頭企業(yè)，其ArF高端光刻膠市場(chǎng)占有率全球第一，也是唯一有能力量產(chǎn)EUV光刻膠的企業(yè)，日本TOK光刻膠是全球最大的G線/I線、KrF光刻膠供應(yīng)商。

再觀中國(guó)市場(chǎng)，前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)顯示，目前從事半導(dǎo)體用光刻膠研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)則多以I線、G線光刻膠生產(chǎn)為主，2021年國(guó)內(nèi)G線、I線光刻膠國(guó)產(chǎn)化率已達(dá)10%，KrF以上的高端光刻膠品種基本處于研發(fā)狀態(tài)，國(guó)產(chǎn)化率僅為1%。

美國(guó)擬加征光刻膠關(guān)稅

近日，有消息稱美國(guó)針對(duì)日系高階材料擬增征進(jìn)口關(guān)稅。報(bào)告研究指出，若美國(guó)對(duì)來(lái)自日本的EUV與ArF光刻膠課征10～25%關(guān)稅，將導(dǎo)致進(jìn)口價(jià)格上漲10～24%，以目前EUV光刻膠報(bào)價(jià)每加侖1500美元計(jì)算，一旦課稅25%，最終成本將增加近400美元。

研究報(bào)告指出，全球光刻膠市場(chǎng)正進(jìn)入結(jié)構(gòu)性增長(zhǎng)階段，2025年市場(chǎng)產(chǎn)值接近65～70億美元，占全球半導(dǎo)體材料約8～10%，其中相當(dāng)于2nm和3nm制程的EUV光刻膠，年復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)35%，遠(yuǎn)超過(guò)其他ArF、KrF等成熟產(chǎn)品的4～5%。

由于EUV光刻膠具備高技術(shù)導(dǎo)向與使用環(huán)境極為嚴(yán)格的要求，無(wú)法輕易替代，即使關(guān)稅阻礙成本攀升，包括臺(tái)積電、英特爾、三星等先進(jìn)晶圓制造商仍需依賴日系供應(yīng)商的安全出貨，才能確保先進(jìn)制造進(jìn)度的良率與量產(chǎn)進(jìn)度。目前面臨著「被迫接受高成本」的現(xiàn)實(shí)困境。

此外，隨著臺(tái)積電在美國(guó)建廠擴(kuò)產(chǎn)，至2027年，美國(guó)2nm制程產(chǎn)能占全球比重預(yù)期將大幅提高到21%，勢(shì)必會(huì)推動(dòng)美國(guó)光阻消費(fèi)由非主力市場(chǎng)轉(zhuǎn)為戰(zhàn)略重點(diǎn)市場(chǎng)。若關(guān)稅制度加強(qiáng)，不排除日系大廠會(huì)赴美設(shè)廠擴(kuò)產(chǎn)的可能。

值得一提的是，EUV光阻技術(shù)因驗(yàn)證期長(zhǎng)、量產(chǎn)入口高，市場(chǎng)長(zhǎng)期被JSR、東京應(yīng)化、信越化學(xué)三大日廠壟斷，市占率超過(guò)九成。美系大廠如杜邦與陶氏雖然現(xiàn)在ArF、KrF保有市占，但在EUV該領(lǐng)域幾乎無(wú)法與日廠抗衡。

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