本文由半導體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）編譯自techpowerup

美光經(jīng)過多代驗證的DRAM技術和制造策略促成了這一優(yōu)化的1γ節(jié)點的誕生。

美光科技公司近日宣布，該公司在業(yè)界率先向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴和特定客戶交付了專為下一代 CPU 設計的 1γ（1-gamma）、第六代（10 納米級）DRAM 節(jié)點 DDR5 內(nèi)存樣品。1γ DRAM 的這一里程碑建立在美光之前 1α（1-alpha）和 1β（1-beta）DRAM 節(jié)點領導地位的基礎上，旨在提供創(chuàng)新，為未來計算平臺提供支持，從云端到工業(yè)和消費應用，再到邊緣 AI 設備，如 AI PC、智能手機和汽車。

美光 1γ DRAM 節(jié)點將首先在其 16 Gb DDR5 DRAM 中得到利用，并隨著時間的推移將集成到美光的內(nèi)存產(chǎn)品組合中，以滿足行業(yè)對高性能、節(jié)能 AI 內(nèi)存解決方案日益增長的需求。16 Gb DDR5 產(chǎn)品旨在提供高達 9200 MT/s 的速度能力，與其前代產(chǎn)品相比，速度提高了 15%，功耗降低了 20% 以上。

隨著人工智能在數(shù)據(jù)中心和邊緣的引入，對內(nèi)存的需求從未如此之大。美光向 1γ DRAM 節(jié)點的過渡有助于解決客戶希望解決的關鍵挑戰(zhàn)：

增強的性能——基于 Micron 1γ 的 DRAM 提供了更高的性能，將支持從數(shù)據(jù)中心到邊緣設備的各種內(nèi)存產(chǎn)品的計算擴展，以滿足未來 AI 工作負載的需求。

節(jié)省功耗——美光的 1γ 節(jié)點采用下一代高 K 金屬柵極 CMOS 技術，并結合設計優(yōu)化，可將功耗降低 20% 以上，從而改善熱性能。

提高位密度輸出——美光的 1γ 節(jié)點利用 EUV 光刻技術、設計優(yōu)化和工藝創(chuàng)新，與上一代產(chǎn)品相比，每晶圓的位數(shù)輸出提高了 30% 以上，并且能夠有效擴展內(nèi)存供應。

美光執(zhí)行副總裁兼首席技術與產(chǎn)品官 Scott DeBoer 表示：“美光在開發(fā)專有 DRAM 技術方面的專業(yè)知識，加上我們對 EUV 光刻技術的戰(zhàn)略性使用，已形成強大的尖端 1γ 內(nèi)存產(chǎn)品組合，有望推動 AI 生態(tài)系統(tǒng)向前發(fā)展。1γ DRAM 節(jié)點的增強位密度輸出彰顯了美光的制造實力和效率，使我們能夠擴大內(nèi)存供應以滿足不斷增長的行業(yè)需求?！泵拦饨?jīng)過多代驗證的 DRAM 技術和制造策略促成了這一優(yōu)化的 1γ 節(jié)點的誕生。1γ DRAM 節(jié)點創(chuàng)新得到了 CMOS 進步的支持，包括下一代高 K 金屬柵極技術，該技術可提高晶體管性能，從而實現(xiàn)更好的速度能力、設計優(yōu)化和特征尺寸縮小，所有這些都帶來了節(jié)能和性能擴展的好處。此外，通過最佳地結合尖端 EUV 光刻技術、先進的高縱橫比蝕刻技術和行業(yè)領先的設計創(chuàng)新，1γ 節(jié)點可提供行業(yè)領先的位密度優(yōu)勢。通過在全球各地開發(fā) 1γ 節(jié)點制造，美光正在幫助確保行業(yè)擁有更好的技術和供應彈性。美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務官 Sumit Sadana 表示：“美光再次引領行業(yè)推出全球最先進的內(nèi)存技術。美光的 1γ DRAM 節(jié)點具有無與倫比的能效和非凡的性能，是一項突破性的成就。美光 1γ DRAM 產(chǎn)品將通過為從數(shù)據(jù)中心到邊緣的所有細分市場提供可擴展的內(nèi)存解決方案來徹底改變 AI 生態(tài)系統(tǒng)，使我們的客戶能夠始終領先于快速發(fā)展的行業(yè)需求?！?/p>

將產(chǎn)品從云端轉(zhuǎn)變?yōu)檫吘?/strong>

作為未來產(chǎn)品的基礎，1γ 節(jié)點將集成到美光的內(nèi)存產(chǎn)品組合中：

數(shù)據(jù)中心：基于 1γ 的數(shù)據(jù)中心 DDR5 內(nèi)存解決方案，可將性能提高 15%，提高能源效率，并有助于持續(xù)擴展服務器性能，從而使數(shù)據(jù)中心能夠在未來的機架級功率和熱設計中進行優(yōu)化。

Edge AI：1γ低功耗 DRAM 解決方案可提高節(jié)能效果并增加帶寬，從而增強 Edge AI 解決方案的用戶體驗。

AI PC：1γ DDR5 SODIMM 可提高性能并將功耗降低 20%，從而延長電池壽命并改善整體筆記本電腦用戶體驗。

移動: 1γ LPDDR5X 將在邊緣實現(xiàn)卓越的 AI 體驗，并延續(xù)美光在移動技術領域的領導地位。

汽車: 基于 1γ 的 LPDDR5X 內(nèi)存可擴展容量、壽命和性能，同時實現(xiàn)高達 9600 MT/s 的速度。

AMD 服務器平臺解決方案工程公司副總裁 Amit Goel 表示：“我們很高興看到美光在 1γ DRAM 節(jié)點上取得進展，我們已經(jīng)開始對美光 1γ DDR5 內(nèi)存進行驗證。我們的密切合作至關重要，因為我們將繼續(xù)通過下一代 AMD EPYC 產(chǎn)品（用于數(shù)據(jù)中心）以及整個產(chǎn)品組合中的消費級處理器來推進計算生態(tài)系統(tǒng)。”“美光 1γ 節(jié)點的進步為英特爾服務器和 AI PC 帶來了顯著的功率和密度改進。我們很高興看到美光在 DRAM 技術方面的持續(xù)創(chuàng)新，并期待基于這些容量來增強服務器系統(tǒng)性能和 PC 電池壽命，”英特爾公司副總裁兼內(nèi)存和 IO 技術總經(jīng)理 Dimitrios Ziakas 博士表示?！坝⑻貭栒谂νㄟ^其對美光 1γ DDR5 內(nèi)存樣品的嚴格服務器驗證流程，為客戶提供具有最高質(zhì)量和一流體驗的服務器系統(tǒng)?！狈蠗l件的客戶和合作伙伴可參加美光針對 DDR5 的技術支持計劃 (TEP)，該計劃提供早期獲取技術信息和電氣和熱模型的機會，以及協(xié)助設計、開發(fā)和推出下一代計算平臺的支持。

*聲明：本文系原作者創(chuàng)作。文章內(nèi)容系其個人觀點，我方轉(zhuǎn)載僅為分享與討論，不代表我方贊成或認同，如有異議，請聯(lián)系后臺。